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  • ZGSOI芯片光電探測器-混頻光 電探 測 器陣列
    ZGSOI芯片光電探測器-混頻光 電探 測 器陣列

    更新時間:2025-05-10

    型號:ZG

    瀏覽量:1706

    SOI芯片光電探測器-混頻光 電探 測 器陣列具有多通道,高集成度芯片化,大模擬帶寬等特性,主要應(yīng)用于光纖傳感,光纖通信,激光雷達等領(lǐng)域
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  • ZG高速SOI光電探測器芯片
    ZG高速SOI光電探測器芯片

    更新時間:2025-05-10

    型號:ZG

    瀏覽量:2250

    高速SOI光電探測器芯片,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學(xué)混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關(guān)性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
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  • ZGSOI納秒光開關(guān)芯片
    ZGSOI納秒光開關(guān)芯片

    更新時間:2025-05-10

    型號:ZG

    瀏覽量:1840

    SOI納秒光開關(guān)芯片該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實現(xiàn)納秒級高速響應(yīng)的光路切換,實現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動,偏振相關(guān)性小,插入損耗低
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  • 梓冠單片集成 10bit 可調(diào)光延時器芯片高速切換
    梓冠單片集成 10bit 可調(diào)光延時器芯片高速切換

    更新時間:2025-05-10

    型號:梓冠

    瀏覽量:1568

    單片集成 10bit 可調(diào)光延時器芯片高速切換將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)
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  • ZGSOI高速光開關(guān)芯片陣列
    ZGSOI高速光開關(guān)芯片陣列

    更新時間:2025-05-10

    型號:ZG

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    SSOI高速光開關(guān)芯片陣列,該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實現(xiàn)納秒級高速響應(yīng)的光路切換,實現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動,偏振相關(guān)性小,插入損耗低
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  • ZG高速SOI芯片光電探測器陣列
    ZG高速SOI芯片光電探測器陣列

    更新時間:2025-05-10

    型號:ZG

    瀏覽量:1682

    高速SOI芯片光電探測器陣列,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學(xué)混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關(guān)性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
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  • SOI芯片式高速光衰減器
    SOI芯片式高速光衰減器

    更新時間:2025-05-10

    型號:

    瀏覽量:1753

    SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應(yīng)實現(xiàn)高速響應(yīng)的可調(diào)光路衰減,實現(xiàn)多通道VOA器件單片化集成,芯片與多通道光纖陣列和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝,數(shù)字化驅(qū)動,偏振相關(guān)性小,衰減范圍大,調(diào)節(jié)精度高,衰減值穩(wěn)定,響應(yīng)時間為納秒級,可在高速、低時延系統(tǒng)中應(yīng)用。
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  • 硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時芯片
    硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時芯片

    更新時間:2024-12-27

    型號:

    瀏覽量:1578

    硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)
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